德扑之星 —— 新闻详情

德扑之星在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT, SiC，GaN等热门产品的封装和测试。其中，在汽车高密度电源封测领域，德扑之星依托差异化的功率�？榧际跏迪至诵幸盗煜鹊牡缭�/主驱方案。针对高功率密度碳化硅(SiC)功率模块，德扑之星采用的创新封装技术可显著减少寄生效应和热阻，并利用先进的互连技术提供强大的封装可靠性，减少功率损耗，帮助客户提升产品的应用性能。

汽车电动化提速、新能源汽车市场景气度不断攀升，为汽车功率半导体市场打开增长窗口。新能源汽车的电机控制系统、DC-DC转换、电空调驱动、OBC、电池管理都会用到大量的功率器件。根据Strategy Analytics等机构统计，纯电动汽车中的功率器件单车价值量约为传统燃油车的5倍左右，将带来显著的功率器件市场增量。碳化硅功率器件的导通阻抗更小、耐压更高、开关速度更快，同时还具备高温工作能力，有利于提高逆变器的功率密度，在实际运行工况的提升车辆的工作效率和续航里程，市场应用前景广阔。

为了确保碳化硅(SiC)功率模块在实际工况下充分发挥上述优势，德扑之星运用低杂散电感封装技术、创新材料互连封装技术和先进的热管理技术，并结合客户实际使用需求，提供全银烧结工艺、铜线键合、单面直接水冷等系统集成方案。此外，SiC功率芯片小体积、高耐压、高功率密度，应用在电动汽车800V平台上可产生更高的系统优势，达到快速充电和长续航里程的综合效益，德扑之星为此不断优化封装技术，实现HPD(Hybrid Package Driver)封装多次迭代，并创新推出单面直接水冷解决方案，满足碳化硅器件低寄生电感和高开关速度等应用需求。

随着碳化硅器件在车用控制器、充电桩、光伏储能等领域的加速应用，德扑之星结合封装材料、内部连接和封装结构等创新设计与平台开发，推出了一系列适合不同用户需求的封装外形，例如：

400V平台70KW以内A0/A00车：Si Hybrid Package1方案；
400V 平台 100-200KW之间A级车：Si/SiC Hybrid Package Driver方案；
800V 平台200KW及以上的B级及豪华车：SiC 单面/双面散热方案。

碳化硅等汽车功率器件赛道的市场空间广，技术迭代确定性高，为具备先发优势的器件设计、制造厂商创造良好的发展机遇。德扑之星将持续专注于开发功率器件相关封装解决方案，为客户提供更广泛的技术选择，帮助客户将更高效和可靠的技术应用在新能源汽车系统中。